采用直接氮化法制备高端α-Si?N?粉体，α-Si?N?＞94%（XRD检测），游离硅≤0.3%，O＜0.5%，C＜0.1%
高端氮化硅粉体烧结炉具有H2安全保护、防窜气技术 、多段温度曲线设定，多种气体流量自动精准控制（无需人工调节）、脉冲式充气、气体循环控温、发热体衰减检测、发热体漏电监测、全面故障自诊断等功能。主要用于高端氮化硅粉料的生产。
高端氮化硅粉体烧结炉具有H2安全保护、防窜气技术 、多段温度曲线设定，多种气体流量自动精准控制（无需人工调节）、脉冲式充气、气体循环控温、发热体衰减检测、发热体漏电监测、全面故障自诊断等功能。主要用于高端氮化硅粉料的生产。
采用直接氮化法制备高端α-Si?N?粉体，α-Si?N?＞94%（XRD检测），游离硅≤0.3%，O＜0.5%，C＜0.1%
| 装料空间 | H500*W500*L1800 |
| H300*W300*L1200 | |
| 最高温度 | 1600℃ |
| 最高工作压力 | 0.9bar |
| 极限真空度 | 0.5pa |
| 真空泄漏率 | ≤5×10-3 mbarl/s |
| 真空泵组 | 旋片泵+罗茨泵 |
| 升温速率 | ≥8℃/min |
| (满载、≥1500℃） | |
| 温度均匀性 | ≤±4℃ |
| 具备功能 | 真空烧结、静态烧结、气氛烧结、急速冷却 |
| 工艺气体种类 | H2 N2 Ar |
